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采用调制掺杂量子阱结构的阵列式半导体激光器 专利
专利号: CN1871751A, 申请日期: 2006-11-29, 公开日期: 2006-11-29
作者:  G·W·泰勒;  S·邓肯
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面発光レーザ装置 专利
专利号: JP3869106B2, 申请日期: 2006-10-20, 公开日期: 2007-01-17
作者:  大久保 敦
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A bistable, self-latching inverter by the monolithic integration of resonant tunnelling diode and high electron mobility transistor 期刊论文
Chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 2422-2426
作者:  Ma Long;  Huang Ying-Long;  Zhang Yang;  Yang Fu-Hua;  Wang Liang-Chen
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High-performance 1.55 mu m low-temperature-grown gaas resonant-cavity-enhanced photodetector 期刊论文
Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 13, 页码: 3
作者:  Han, Q.;  Niu, Z. C.;  Peng, L. H.;  Ni, H. Q.;  Yang, X. H.
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12
Large g factors of higher-lying excitons detected with reflectance difference spectroscopy in gaas-based quantum wells 期刊论文
Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 5, 页码: 3
作者:  Chen, Y. H.;  Ye, X. L.;  Xu, B.;  Wang, Z. G.;  Yang, Z.
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Influence of longitudinal electric field on the hot-phonon effect in quantum wells 期刊论文
Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 1, 页码: 9
作者:  Zhang, J. -Z.;  Zhu, B. -F.
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New type of fano resonant tunneling via anderson impurities in superlattice 期刊论文
Europhysics letters, 2006, 卷号: 74, 期号: 5, 页码: 875-881
作者:  Xu, S. J.;  Xiong, S. -J.;  Liu, J.;  Zheng, H. Z.
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Evolution of the amount of inas in wetting layers in an inas/gaas quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文
Nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 2207-2211
作者:  Chen, YH;  Jin, P;  Liang, LY;  Ye, XL;  Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12
Strong in-plane optical anisotropy of asymmetric (001) quantum wells 期刊论文
Journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: 3
作者:  Chen, YH;  Ye, XL;  Xu, B;  Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12
Peculiar photocurrent response due to gamma-x coupling in a gaas/alas heterostructure 期刊论文
Semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 643-646
作者:  Hu, Bing;  Zheng, Houzhi;  Peng, Jin;  Li, Guirong;  Li, Yunhui
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