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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2006 [3]
学科主题
光电子学 [1]
半导体材料 [1]
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发表日期:2006
专题:半导体研究所
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High-precision determination of lattice constants and structural characterization of inn thin films
期刊论文
Journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279
作者:
Wu, MF
;
Zhou, SQ
;
Vantomme, A
;
Huang, Y
;
Wang, H
收藏
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提交时间:2019/05/12
High-precision determination of lattice constants and structural characterization of InN thin films
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279
Wu MF
;
Zhou SQ
;
Vantomme A
;
Huang Y
;
Wang H
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:108/0
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提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
BAND-GAP
EPITAXIAL LAYERS
INDIUM NITRIDE
HEXAGONAL INN
CUBIC INN
GROWTH
PARAMETERS
INGAN
PHASE
Comparison between double crystals X-ray diffraction micro-Raman measurement on composition determination of high Ge content Si1_xGex layer epitaxied on Si substrate
期刊论文
journal of materials science & technology, 2006, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 651-654
Zhao L (Zhao Lei)
;
Zuo YH (Zuo Yuhua)
;
Cheng BW (Cheng Buwen)
;
Yu JZ (Yu Jinzhong)
;
Wang QM (Wang Qiming)
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2010/04/11
Si1_xGex
Ge content
composition determination
double crystals X-ray diffraction (DCXRD)
micro-Raman measurement
BAND-GAP
HETEROSTRUCTURES
SUPERLATTICES
ALLOYS
RELAXATION
SCATTERING
THICKNESS
STRAIN
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