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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2006 [4]
学科主题
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半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
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发表日期:2006
专题:半导体研究所
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Strain evolution in GaN layers grown on high-temperature AlN interlayers
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: art.no.152105
Wang JF (Wang J. F.)
;
Yao DZ (Yao D. Z.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
STRESS EVOLUTION
DEFECT STRUCTURE
EPITAXIAL GAN
THIN-FILMS
ALGAN
DISLOCATIONS
RELAXATION
REDUCTION
Dependence of intrinsic defects in ZnO films on oxygen fraction studied by positron annihilation
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 489-492
Peng CX
;
Weng HM
;
Yang XJ
;
Ye BJ
;
Cheng B
;
Zhou XY
;
Han RD
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浏览/下载:235/9
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提交时间:2010/04/11
P-TYPE ZNO
THIN-FILMS
ROOM-TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
SUBSTRATE
VACANCIES
LAYER
BEAM
GAN
High-precision determination of lattice constants and structural characterization of InN thin films
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279
Wu MF
;
Zhou SQ
;
Vantomme A
;
Huang Y
;
Wang H
;
Yang H
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浏览/下载:108/0
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提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
BAND-GAP
EPITAXIAL LAYERS
INDIUM NITRIDE
HEXAGONAL INN
CUBIC INN
GROWTH
PARAMETERS
INGAN
PHASE
Evolution of mosaic structure in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 269-272
Huang Y (Huang Y.)
;
Wang H (Wang H.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Li DY (Li D. Y.)
;
Zhang JC (Zhang J. C.)
;
Wang JF (Wang J. F.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/04/11
growth mode
X-ray diffraction
metalorganic chemical vapor deposition
indium nitride
X-RAY-DIFFRACTION
THREADING DISLOCATIONS
ELECTRON-TRANSPORT
BUFFER LAYER
THIN-FILMS
GAN FILMS
SAPPHIRE
ALN
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