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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2005 [6]
学科主题
半导体材料 [1]
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发表日期:2005
专题:半导体研究所
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Magnetron sputtering growth of inas0.3sb0.7 films on (100) gaas substrates: strong effect of growth conditions on film structure
期刊论文
Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 285, 期号: 4, 页码: 459-465
作者:
Peng, CT
;
Chen, NF
;
Wu, JL
;
Yin, ZG
;
Yu, Y
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Crystal structure
Magnetron sputtering
Semiconducting iii-v materials
Influence of rapid thermal annealing on inas/inalas/inp quantum wires with different inas deposited thickness
期刊论文
Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 284, 期号: 1-2, 页码: 20-27
作者:
Lei, W
;
Chen, YH
;
Wang, YL
;
Xu, B
;
Ye, XL
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Annealing
Dislocations
Photoluminescence
Molecular beam epitaxy
Quantum wires
Semiconducting iii-v material
Gal(1-x)mn(1-x)sb grown on gasb with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition
期刊论文
Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 272-275
作者:
Chen, CL
;
Chen, NF
;
Liu, LF
;
Wu, JL
;
Liu, ZK
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
X-ray diffraction
Ion beam epitaxy
Semiconducting ternary compounds
Effect of layer thickness of immiscible alloy in0.52al0.48as on the morphology of inas nanostructure grown on in0.52al0.48as/inp(001)
期刊论文
Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 494-499
作者:
Zhao, FA
;
Chen, YH
;
Ye, XL
;
Xu, B
;
Jin, P
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Nanostructures
Molecular beam epitaxy
Semiconducting iii-v materials
Magnetron sputtering growth of InAs0.3Sb0.7 films on (100) GaAs substrates: Strong effect of growth conditions on film structure
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 285, 期号: 4, 页码: 459-465
作者:
Yin ZG
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浏览/下载:304/5
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提交时间:2010/04/11
crystal structure
magnetron sputtering
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
INAS1-XSBX
ALLOYS
INASSB
INSB
Development of cross-hatch grid morphology and its effect on ordering growth of quantum dots
期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 592-596
作者:
Zhang, CL
;
Xu, B
;
Wang, ZG
;
Jin, P
;
Zhao, FA
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Stress
Nanostructures
Surface structure
Molecular beam epitaxy
Semiconducting iii-v materials
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