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科研机构
上海微系统与信息技... [18]
内容类型
期刊论文 [17]
学位论文 [1]
发表日期
2005 [18]
学科主题
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共18条,第1-10条
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发表日期:2005
专题:上海微系统与信息技术研究所
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85
90
95
100
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Effect of nitrogen implantation technologies on total dose rad-hardness of SIMON materials
期刊论文
Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1269-1272
Zhang, Enxia1
;
Qian, Cong1
;
Zhang, Zhengxuan1
;
Wang, Xi1
;
Zhang, Guoqiang2
;
Li, Ning2
;
Zheng, Zhongshan2
;
Liu, Zhongli2
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/03/24
Electron field emission from SiC/Si heterostructures formed by carbon implantation into silicon and etching of the top silicon layer
期刊论文
Amorphous and Nanocrystalline Silicon Science and Technology-2005, 2005, 卷号: 862, 页码: 425-430
Xing, YM
;
Zhang, JH
;
Yu, YH
;
Song, ZR
;
Shen, DS
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
ENHANCEMENT
ARRAYS
Formation of silicon-on-aluminum nitride using ion-cut and theoretical investigation of self-heating effects
期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2005, 卷号: 59, 期号: 4, 页码: 510-513
Zhu, M
;
Liu, WL
;
Song, ZT
;
Fu, RKY
;
Chu, PK
;
Lin, CL
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
IMPLANTATION
MOSFETS
Photoluminescence thermal quenching behaviors of Er-doped SiOx (x < 2) prepared by ion implantation
期刊论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2005, 卷号: 362, 期号: 1-4, 页码: 208-213
Zhang, CS
;
Xao, HB
;
Wang, YJ
;
Cheng, ZJ
;
Cheng, XL
;
Zhang, F
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
CRYSTALLINE SI
THIN-FILMS
SILICON
LUMINESCENCE
ELECTROLUMINESCENCE
EXCITATION
DEPENDENCE
Effect of O-implantation on the structure and resistance of Ge2Sb2Te5 film
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2005, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 62-69
Liu, B
;
Song, ZT
;
Zhang, T
;
Feng, SL
;
Chen, BM
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
CHANGE OPTICAL DISKS
PHASE-CHANGE
THIN-FILMS
RAMAN-SCATTERING
MEMORY
SB
CRYSTALLIZATION
OXYGEN
Radiation hardness improvement of separation-by-implantation-of-oxygen/silicon-on-insulator material by nitrogen ion implantation
期刊论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2005, 卷号: 34, 期号: 11, 页码: L53-L56
Zhang, EX
;
Sun, JY
;
Chen, J
;
Zhang, ZX
;
Wang, X
;
Li, N
;
Zhang, GQ
;
Liu, ZL
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
CHARGE
OXYGEN
Characteristics of Sn-doped Ge2Sb2Te5 films used for phase-change memory
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 2929-2932
Xu, C
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, B
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
ION-BEAM METHOD
ELECTRICAL-PROPERTIES
OPTICAL-PROPERTIES
CELL-ELEMENT
RESISTANCE
IMPLANTATION
TRANSITION
ALLOYS
MEDIA
Research on the effect of nitrogen implantation doses with the structure of separated by implanted oxygen and nitrogen
期刊论文
Smart Materials and Structures, 14, (2005) P42-45, 2005, 卷号: 14, 页码: 42-45
Enxia zhang, Wanbing Yi
;
Jing Chen, Zhengxuan Zhang
;
Xi Wang
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/06/13
Fabrication of SGOI material by oxidation of an epitaxial SiGe layer on an SOI wafer with H ions implantation
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2005, 卷号: 234, 期号: 3, 页码: 243-248
Cheng,XL
;
Chen,ZJ
;
Wang,YJ
;
Jin,B
;
Zhang,F
;
Zou,SC
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/24
HOLE MOBILITY ENHANCEMENT
HIGH-GE FRACTION
STRAINED-SI
INSULATOR SUBSTRATE
N-MOSFETS
ELECTRON
ULTRATHIN
Characterization and field-emission property of aligned porous carbon nanotube film by hydrogen-ion implantation
期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2005, 卷号: 81, 期号: 1, 页码: 169-172
Yu, WD
;
Zhang, JH
;
Wang, X
;
Li, XM
;
Gao, XD
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
INSULATOR MATERIAL TECHNOLOGY
SILICON
DEPOSITION
GROWTH
ARRAYS
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