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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2005    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of layer thickness of immiscible alloy In0.52Al0.48As on the morphology of InAs nanostructure grown on In0.52Al0.48As/InP(001) 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 494-499 作者:  Xu B;  Ye XL;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/03/17 nanostructures   Realization of GaAs/AlGaAs quantum-cascade lasers with high average optical power 期刊论文 solid-state electronics, 2005, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 1961-1964 Liu JQ; Liu FQ; Lu XZ; Guo Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：298/3  |  提交时间：2010/04/11 X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  semiconducting gallium compounds  quantum-cascade lasers (QCLs)  UNIPOLAR SEMICONDUCTOR-LASERS  MU-M  OPERATION   Site controlling of InAs quantum wires on cleaved edges of AlGaAs/GaAs superlattices 期刊论文 nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 1379-1382 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：219/41  |  提交时间：2010/03/17 DIFFUSION LENGTH