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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2005    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The structural and photoluminescence character of InAs quantum dots grown on a combined InAlAs and GaAs strained buffer 期刊论文 pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, 2005, 卷号: pts 1-5, 期号: 475-479, 页码: 1791-1794 Shi, GX; Xu, B; Jin, P; Ye, XL; Cui, CX; Zhang, CL; Wu, J; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/03/17 quantum dots  strain buffer layer  InAs  photoluminescence  WELL  LASER  LAYER   Characterization of silicon carbide thin films and their use in colour sensor 期刊论文 solar energy materials and solar cells, 2005, 卷号: 87, 期号: 1-4, 页码: 343-348 Zhang S; Raniero L; Fortunato E; Liao X; Hu Z; Ferreira I; Aguas H; Ramos AR; Alves E; Martins R 收藏  |  浏览/下载：50/15  |  提交时间：2010/03/17 thin film materials & devices   Growth of a periodic InP-based heteroepitaxial structure for a quantum cascade laser 期刊论文 materials letters, 2005, 卷号: 59, 期号: 22, 页码: 2755-2758 Guo, Y; Liu, FQ; Liu, JQ; Li, CM; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：68/46  |  提交时间：2010/03/17 heteroepitaxial structure