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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2003    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of reactor pressure on GaN nucleation layers and subsequent GaN epilayers grown on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：230/30  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowth  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  BUFFER LAYER  THREADING DISLOCATIONS  TEMPERATURE  EVOLUTION  SURFACE  MOVPE   Optical constants of cubic GaN/GaAs(001): Experiment and modeling 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 5, 页码: 2549-2553 Munoz M; Huang YS; Pollak FH; Yang H 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HEXAGONAL GAN  TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  TRANSITIONS  GROWTH  GAIN  ALN  ELLIPSOMETRY  WURTZITE   Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xNx single quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：142/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS  NITROGEN  LUMINESCENCE  PRESSURE  STATES  ENERGY   Abnormal effect of growth interruption on GaSb quantum dots formation grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 99-104 Luo XD; Xu ZY; Wang YQ; Wang WX; Wang JN; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/08/12 growth interruption  molecular beam epitaxy  quantum dots  GaSb  WELLS   Structure and photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum dots grown via cycled (InAs)(n)/(GaAs)(n) monolayer deposition 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 1154-1157 He J; Wang XD; Xu B; Wang ZG; Qu SC 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 MBE  InGaAs/GaAs  quantum dots  photoluminescence  morphology  MU-M  WELL STRUCTURES  GAAS  LASERS  TEMPERATURE  STATES  INP   Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：292/3  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowths  surface morphology  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  QUALITY  TEMPERATURE