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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2003    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：252/65  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  MOCVD  in situ laser reflectometry  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  IN-SITU  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  FILMS   MnSb/porous silicon hybrid structure prepared by physical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 110-114 Xiu HX; Chen NF; Peng CT 收藏  |  浏览/下载：336/6  |  提交时间：2010/08/12 physical vapor deposition processes  manganese antimonide  porous silicon  POROUS-SILICON  FILMS  MNSB  EPITAXY   Defects in GaN films grown on Si(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1811-1814 Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：251/3  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HETEROEPITAXIAL GROWTH  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY   Magnetic properties of silicon doped with gadolinium 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2003, 卷号: 77, 期号: 3-4, 页码: 599-602 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：321/10  |  提交时间：2010/08/12 METAL-INSULATOR-TRANSITION  BEAM EPITAXY TECHNIQUE  SEMICONDUCTING SILICIDES  INDUCED FERROMAGNETISM  FILMS  MAGNETORESISTANCE  TEMPERATURE  ALLOYS   High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE 会议论文 symposium on gan and related alloys held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02-06, 2002 Wang JX; Wang XL; Sun DZ; Li JM; Zeng YP; Hu GX; Liu HX; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ION-SCATTERING SPECTROSCOPY  LATTICE POLARITY  SINGLE-CRYSTALS  FILMS  POLARIZATION  GAN(0001)  SURFACES  GROWTH  DIODES   Hydrogen passivation of multi-crystalline silicon solar cells 期刊论文 chinese physics, 2003, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 112-115 Hu ZH; Liao XB; Liu ZM; Xia CF; Chen TJ 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 multi-crystalline silicon solar cells  plasma  hydrogen passivation  MULTICRYSTALLINE  SURFACE  FILMS   Thickness measurement of GaN epilayer using high resolution X-ray diffraction technique 期刊论文 science in china series g-physics astronomy, 2003, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 437-440 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：198/6  |  提交时间：2010/08/12 GaN  x-ray diffraction  thickness  SAPPHIRE  GROWTH  FILMS   Interlayer segregation in magnetic multilayers and its influence on exchange coupling 期刊论文 applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 1, 页码: 94-96 Yu GH; Li MH; Zhu FW; Jiang HW; Lai WY; Chai CL 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 SPIN VALVES  GIANT MAGNETORESISTANCE  UNIDIRECTIONAL ANISOTROPY  FILMS  BILAYERS  LAYERS  BIAS  INTERFACES  BEHAVIOR  MODEL   Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423 Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous layer  dislocation  transmission electron microscopy  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  HETEROEPITAXIAL GROWTH  ELECTRON-DIFFRACTION  DEFECT STRUCTURE  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY  (111)SI  LAYER   Effect of a low-temperature thin buffer layer on the strain accommodation of In0.25Ga0.75As grown on a GaAs(001) substrate 期刊论文 semiconductor science and technology, 2003, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 955-959 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/08/12 RELAXATION  SI  HETEROSTRUCTURES  KINETICS