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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2003    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer 期刊论文 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 2061-2063 Fang ZD; Gong Z; Miao ZH; Xu XH; Ni HQ; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 1.3 MU-M  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  LASING CHARACTERISTICS  LASERS  WAVELENGTH  SEPARATION  LINEWIDTH  PROPERTY  GAIN   A method to obtain ground state electroluminescence from 1.3 mu m emitting InAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics, 2003, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 97-99 Kong YC; Zhou DY; Lan Q; Liu JL; Miao ZH; Feng SL; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  electroluminescence  state filling effect  OPTICAL-PROPERTIES  WAVELENGTH  EMISSION  LASER  GAAS  DEPENDENCE  LAYER   Size evolution and optical properties of self-assembled InAs quantum dots on different matrix 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2003, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 292-297 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled  MBE  quantum dots  photoluminescence  1.3 MU-M  TEMPERATURE-DEPENDENCE  EXCITED-STATES  INXGA1-XAS  LASERS  INP   Luminescence properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer 期刊论文 physics of low-dimensional structures, 2003, 期号: 1-2, 页码: 27-33 Fang, ZD; Gong, Z; Miao, ZH; Xu, XH; Ni, HQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：47/14  |  提交时间：2010/03/09 TEMPERATURE-DEPENDENCE  PHOTOLUMINESCENCE  SEPARATION  WAVELENGTH  LASERS   Structure and photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum dots grown via cycled (InAs)(n)/(GaAs)(n) monolayer deposition 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 1154-1157 He J; Wang XD; Xu B; Wang ZG; Qu SC 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 MBE  InGaAs/GaAs  quantum dots  photoluminescence  morphology  MU-M  WELL STRUCTURES  GAAS  LASERS  TEMPERATURE  STATES  INP   Magnetic-field-induced nonthermal occupation of higher subbands in a three-barrier tunneling structure 期刊论文 spectroscopy and spectral analysis, 2003, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 470-473 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 resonance tunneling  nonthermal occupation  intersubband relaxation  QUANTUM-WELLS  SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES  POPULATION-INVERSION  ELECTRON  EMISSION  LASER