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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2003    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer 期刊论文 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 2061-2063 Fang ZD; Gong Z; Miao ZH; Xu XH; Ni HQ; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 1.3 MU-M  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  LASING CHARACTERISTICS  LASERS  WAVELENGTH  SEPARATION  LINEWIDTH  PROPERTY  GAIN   Electron ground state energy level determination of ZnSe self-organized quantum dots embedded in ZnS 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 9, 页码: 5325-5330 Lu LW; Yang CL; Wang J; Sou IK; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TRANSIENT SPECTROSCOPY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  PHOTOLUMINESCENCE  WELL  EPILAYERS  SURFACE   A method to obtain ground state electroluminescence from 1.3 mu m emitting InAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics, 2003, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 97-99 Kong YC; Zhou DY; Lan Q; Liu JL; Miao ZH; Feng SL; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  electroluminescence  state filling effect  OPTICAL-PROPERTIES  WAVELENGTH  EMISSION  LASER  GAAS  DEPENDENCE  LAYER   Abnormal temperature dependence of photoluminescence from self-assembled InAs quantum dots covered by an InAlAs/InGaAs combination layer 期刊论文 solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 7, 页码: 391-394 作者:  Jin P;  Ye XL;  Li CM;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  semiconductors  optical properties  EPITAXY   Luminescence properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer 期刊论文 physics of low-dimensional structures, 2003, 期号: 1-2, 页码: 27-33 Fang, ZD; Gong, Z; Miao, ZH; Xu, XH; Ni, HQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：47/14  |  提交时间：2010/03/09 TEMPERATURE-DEPENDENCE  PHOTOLUMINESCENCE  SEPARATION  WAVELENGTH  LASERS   Magnetic field tuning of the effective g factor in a diluted magnetic semiconductor quantum dot 期刊论文 applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 16, 页码: 2661-2663 Chang K; Xia JB; Peeters FM 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 ELECTRON G-FACTOR  SPIN INTERACTIONS  OPTICAL-SPECTRA  SPECTROSCOPY  GAAS  POLARONS  WELLS