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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2003    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：252/65  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  MOCVD  in situ laser reflectometry  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  IN-SITU  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  FILMS   Epitaxial growth and characterization of SiC on C-plane sapphire substrates by ammonia nitridation 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 1-8 Luo MC; Li JM; Wang QM; Sun GS; Wang L; Li GR; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 infrared reflectivity  Raman  sapphire substrate  X-ray diffraction  chemical vapor deposition  SiC  GAN  FILMS   Influence of high-temperature AIN buffer thickness on the properties of GaN grown on Si(111) 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：299/12  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  semiconductor III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  INTERMEDIATE LAYER  ALAS  ALN  SURFACES  SILICON  FILMS   Method for measurement of lattice parameter of cubic GaN layers on GaAs (001) 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 345-348 Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Yang H; Chen H; Zhou JM; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 in-plane strain  lattice parameters  triple-axis diffraction  c-GaN  GROWTH  FILMS