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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2003 [3]
学科主题
半导体材料 [3]
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发表日期:2003
学科主题:半导体材料
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Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/08/12
interdiffusion
post-annealing
quantum wells
GaInNAs/GaAs
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CARRIER LOCALIZATION
GAINNAS
LUMINESCENCE
ORIGIN
GAASN
Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369
Dong HW
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Jiao JH
;
Li JM
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2010/08/12
diffusion
interfaces
substrates
molecular beam epitaxy
phosphides
semiconducting indium phosphide
UNDOPED SEMIINSULATING INP
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHOSPHIDE VAPOR
FE
INTERFACE
PHOTOLUMINESCENCE
WAFER
UNIFORMITY
DIFFUSION
PRESSURE
Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7
Dong ZY
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Jiao JH
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:351/16
  |  
提交时间:2010/08/12
annealing
defects
etching
semiconducting indium phosphide
FE-DOPED INP
SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
DEFECTS
DIFFUSION
CRYSTALS
WAFERS
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