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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2002    专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Semiconductor light emitting device 专利 专利号: US6492660, 申请日期: 2002-12-10, 公开日期: 2002-12-10 作者:  UCHIDA, SHIRO 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 Method for manufacturing group III nitride compound semiconductor laser diodes 专利 专利号: US6486068, 申请日期: 2002-11-26, 公开日期: 2002-11-26 作者:  YAMASAKI, SHIRO;  NAGAI, SEIJI;  KOIKE, MASAYOSHI;  AKASAKI, ISAMU;  AMANO, HIROSHI 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor device and semiconductor light emitting device 专利 专利号: US6462354, 申请日期: 2002-10-08, 公开日期: 2002-10-08 作者:  OKUYAMA, HIROYUKI 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser and method of production thereof 专利 专利号: US20020080835A1, 申请日期: 2002-06-27, 公开日期: 2002-06-27 作者:  MITOMO, JUGO;  NARUI, HIRONOBU 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 Growing a low defect gallium nitride based semiconductor 专利 专利号: US20020075925A1, 申请日期: 2002-06-20, 公开日期: 2002-06-20 作者:  WANG, SHIH-YUAN;  CHEN, YONG 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 Ridge laser with oxidized strain-compensated superlattice of group III-V semiconductor 专利 专利号: US6407407, 申请日期: 2002-06-18, 公开日期: 2002-06-18 作者:  JOHNSON, FREDERICK G.;  KOLEY, BIKASH;  WASICZKO, LINDA M. 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24