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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2002 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
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发表日期:2002
学科主题:半导体材料
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Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers
会议论文
9th international conference on defects: recognition, imaging and physics in semiconductors (drip ix), rimini, italy, sep 24-28, 2001
Kang JY
;
Shen YW
;
Wang ZG
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提交时间:2010/11/15
defects
GaN
photoluminescence
electronic structures
YELLOW LUMINESCENCE
EPITAXIAL-FILMS
MG
Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 期号: 0, 页码: 303-307
Kang JY
;
Shen YW
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:90/4
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提交时间:2010/08/12
defects
GaN
photoluminescence
electronic structures
YELLOW LUMINESCENCE
EPITAXIAL-FILMS
MG
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