QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共136条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1999    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Laser diode package 专利 专利号: US6008529, 申请日期: 1999-12-28, 公开日期: 1999-12-28 作者:  WU, JIAHN-CHANG 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser device having clad and contact layers respectively doped with Mg and method for fabricating the same 专利 专利号: US6009113, 申请日期: 1999-12-28, 公开日期: 1999-12-28 作者:  MORIMOTO, TAIJI;  SHIBATA, ZENKICHI;  ISHIZUMI, TAKASHI;  MIYAZAKI, KEISUKE;  HATA, TOSHIO 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/12/26 Optimierung der Emissionscharakteristik eines Lasers mit externem Resonator 专利 专利号: DE69419999T2, 申请日期: 1999-12-16, 公开日期: 1999-12-16 作者:  BRAUN,DAVID M.;  FOUQUET,JULIE E. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ保護装置 专利 专利号: JP3011238B2, 申请日期: 1999-12-10, 公开日期: 2000-02-21 作者:  朝田 賢一郎 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/23 Radiation emitter component 专利 专利号: US5999552, 申请日期: 1999-12-07, 公开日期: 1999-12-07 作者:  BOGNER, GEORG;  BRUNNER, HERBERT;  HAAS, HEINZ;  LUFT, JOHANN;  NIRSCHL, ERNST 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser 专利 专利号: US5995528, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30 作者:  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  WADA, MITSUGU 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 Gallium nitride-based compound semiconductor laser and method of manufacturing the same 专利 专利号: US5987048, 申请日期: 1999-11-16, 公开日期: 1999-11-16 作者:  ISHIKAWA, MASAYUKI;  YAMAMOTO, MASAHIRO;  NUNOUE, SHINYA;  NISHIO, JOHJI;  HATAKOSHI, GENICHI 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ駆動装置 专利 专利号: JP3001016B2, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 2000-01-17 作者:  佐藤 直幸 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子の製造方法 专利 专利号: JP3002526B2, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 2000-01-24 作者:  内田 憲治;  山下 茂雄;  中塚 慎一;  梶村 俊 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 Blue edge emitting laser 专利 专利号: EP0955709A2, 申请日期: 1999-11-10, 公开日期: 1999-11-10 作者:  FLOYD, PHILIP D.;  HOFSTETTER, DANIEL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31