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光集積素子の製造方法 专利
专利号: JP2542570B2, 申请日期: 1996-07-25, 公开日期: 1996-10-09
作者:  水戸 郁夫;  村田 茂
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Polysilicon transistors formed on an insulation layer which is adjacent to a liquid crystal material 专利
专利号: US5499124, 申请日期: 1996-03-12, 公开日期: 1996-03-12
作者:  VU, DUY-PHACH;  DINGLE, BRENDA D.;  DINGLE, JASON E.;  CHEONG, NGWE
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量子井戸箱の形成方法 专利
专利号: JP1996021538B2, 申请日期: 1996-03-04, 公开日期: 1996-03-04
作者:  知京 豊裕;  橋本 伸哉;  高橋 聡;  小口 信行
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