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浏览/检索结果: 共184条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2000    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Residual donors in undoped LEC InP 会议论文 11th international semiconducting and insulating materials conference (simc-xi), canberra, australia, jul 03-07, 2000 Zhao YW; Sun NF; Sun TN; Lin LY; Wu XW; Guo WL; Wu X; Bi KY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29 INDIUM-PHOSPHIDE  CARBON  DEFECTS  GROWTH   Tentative analysis of Swirl defects in silicon crystals 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 3-4, 页码: 276-282 Fan TW; Qian JJ; Wu J; Lin LY; Yuan J 收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2010/08/12 swirl defect  silicon  electron energy loss spectroscopy   P型GaN和AlGaN外延材料的制备 期刊论文 高技术通讯, 2000, 卷号: 10, 期号: 8, 页码: 26 作者:  韩培德 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23 Ge_xSi_(1-x)/Si中应变的会聚束电子衍射研究 期刊论文 功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 403 范缇文; 吴巨; 王占国 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/23 Electro-optic properties of poled guest-host organic polymer DCNP/PEK-c thin films 期刊论文 journal of materials science letters, 2000, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: 147-149 Shi W; Fang CS; Pan QW; Sun X; Gu QT; Xu D; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 CRYSTAL   GaN基材料的光学及电学性质研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2000 阎华 收藏  |  浏览/下载：81/7  |  提交时间：2009/04/13 Photoluminescence in Si and Be directly doped self-organized InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 35-38 Wang HL; Yang FH; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 dopant  InAs/GaAs  self-organized quantum dots  MBE  PL  INFRARED-ABSORPTION  INAS ISLANDS  GROWTH  GAAS   The structural and photoluminescence properties of self-organized quantum dots in InAs/In0.53Ga0.47As multilayer on InP substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 360-363 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 self-organized quantum dots  InAs/In0.53Ga0.47As multilayer  InP substrate  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  INAS ISLANDS  GROWTH  MATRIX  GAAS   兴建年产一千吨电子级多晶硅工厂的思考 期刊论文 中国工程科学, 2000, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 33 梁骏吾 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/23 In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 221, 期号: 0, 页码: 356-361 Lu DC; Wang CX; Yuan HR; Liu XL; Wang XH 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  annealing treatment  In-doping  MOVPE  photoluminescence  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  BUFFER LAYER  FILMS  SAPPHIRE