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Electronic structure adjustment of lithium sulfide by a single-atom copper catalyst toward high-rate lithium-sulfur batteries 期刊论文
ENERGY STORAGE MATERIALS, 2022, 卷号: 51, 页码: 890-899
作者:  Xiao, Ru;  Yu, Tong;  Yang, Shan;  Chen, Ke;  Li, Zhuangnan
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2022/09/16
Magnon Torque Transferred into a Magnetic Insulator through an Antiferromagnetic Insulator 期刊论文
NANOMATERIALS, 2021, 卷号: 11, 期号: 11, 页码: 6
作者:  Chen, Zhiren;  Chen, Zehan;  Zhao, Xiaotian;  Cui, Baoshan;  Zheng, Hongnan
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2022/07/01
Coexistence of intrinsic piezoelectricity, ferromagnetism, and nontrivial band topology in Li-decorated Janus monolayer Fe2SSe with a high Curie temperature 期刊论文
Journal of Physics D: Applied Physics, 2021, 卷号: 54, 期号: 50
作者:  Guo,San-Dong;  Mu,Wen-Qi;  Yin,Meng-Yuan;  Li,Yu-Chen;  Ren,Wencai
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2021/11/22
Structure and topological transport in Pb-doping topological crystalline insulator SnTe (001) film 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2020, 卷号: 44, 页码: 223-228
作者:  Yan, C. H.;  Wei, F.;  Bai, Y.;  Wang, F.;  Zhang, A. Q.
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/02/02
Structure and topological transport in Pb-doping topological crystalline insulator SnTe (001) film 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2020, 卷号: 44, 页码: 223-228
作者:  Yan, C. H.;  Wei, F.;  Bai, Y.;  Wang, F.;  Zhang, A. Q.
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2021/02/02
Enhanced linear magneto-resistance near the Dirac point in topological insulator Bi-2(Te1-xSex)(3) nanowires 期刊论文
NANO RESEARCH, 2020, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1332-1338
作者:  Wei, LingNan;  Wang, ZhenHua;  Zhang, ZhiDong;  Liu, Chieh-Wen;  Gao, Xuan P. A.
收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2021/02/02
Structure and topological transport in Pb-doping topological crystalline insulator SnTe(001)film 期刊论文
材料科学技术:英文版, 2020, 卷号: 44.0, 期号: 009, 页码: 223-228
作者:  CHYan;  FWei;  YBai;  FWang;  AQZhang
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/02/02
Structure and topological transport in Pb-doping topological crystalline insulator SnTe(001)film 期刊论文
材料科学技术:英文版, 2020, 卷号: 44.0, 期号: 009, 页码: 223-228
作者:  CHYan;  FWei;  YBai;  FWang;  AQZhang
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2021/02/02
Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors 期刊论文
半导体学报:英文版, 2020, 卷号: 41.0, 期号: 007, 页码: 28-32
作者:  Xiuxin Xia;  Xiaoxi Li;  Hanwen Wang
收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2021/02/02
Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors 期刊论文
半导体学报:英文版, 2020, 卷号: 41.0, 期号: 007, 页码: 28-32
作者:  Xiuxin Xia;  Xiaoxi Li;  Hanwen Wang
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