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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：合肥物质科学研究院    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interface chemistry and electronic structure of ALD-derived HfAlO/Ge gate stacks revealed by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 716, 期号: 无, 页码: 1-6 作者:  He, Gang;  Jiang, Shanshan;  Li, Wendong;  Zheng, Changyong;  He, Huaxin 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/05/25 High-k Gate Dielectric  Atomic-layer-deposition  Interface Stability  Phase Separation  Annealing Temperature   Modification of electrical properties and carrier transportation mechanism of ALD-derived HfO2/Si gate stacks by Al2O3 incorporation 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 667, 期号: 无, 页码: 352-358 作者:  Gao, Juan;  He, Gang;  Sun, Zhaoqi;  Chen, Hanshuang;  Zheng, Changyong 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/10/18 High-k Gate Dielectric  Atomic-layer-deposition  Electrical Properties  Carrier Transportation Mechanism  Incorporation   Microstructure, optical and electrical properties of solution-derived peroxo-zirconium oxide gate dielectrics for CMOS application 期刊论文 CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: 759-766 作者:  Dongqi Xiao;  Gang He;  Zhaoqi Sun;  Jianguo Lv;  Peng Jin 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/10/18