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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interface chemistry and electronic structure of ALD-derived HfAlO/Ge gate stacks revealed by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 716, 期号: 无, 页码: 1-6 作者:  He, Gang;  Jiang, Shanshan;  Li, Wendong;  Zheng, Changyong;  He, Huaxin 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/05/25 High-k Gate Dielectric  Atomic-layer-deposition  Interface Stability  Phase Separation  Annealing Temperature   Discovery of double slope breaks and its significance in Chang 81sand group in Zhenyuan area, Ordos Basin 期刊论文 2017, 卷号: 38, 页码: 457-466 作者:  Wang, Changyong;  Zhang, Yi;  Lin, Shiguo;  Zheng, Rongcai;  Wei, Yaqiong 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/05 Interface chemistry and electronic structure of ALD-derived HfAlO/Ge gate stacks revealed by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: Vol.716, 页码: 1-6 作者:  Liu,Yanmei;  Sun,Zhaoqi;  Jiang,Shanshan;  Li,Jing;  Liu,Mao 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24 ATOMIC-LAYER-DEPOSITION  DIELECTRICS  AL2O3  HFO2