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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory 期刊论文 Chinese physics B, 2018 作者:  Bi JS(毕津顺);  Xi K(习凯);  Li B(李博);  Wang HB(王海滨);  Ji LL(季兰龙) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/04/12 Total Ionizing Dose Effects of 55-nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Charge 期刊论文 CHIN. PHYS. LETT., 2018 作者:  Bi JS(毕津顺);  Xu YN(徐彦楠);  Li B(李博);  Xi K(习凯);  Wang HB(王海滨) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/04/12