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科研机构
北京大学 [9]
内容类型
其他 [9]
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2017 [1]
2016 [5]
2015 [3]
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Comparative Study on RTN Amplitude in Planar and FinFET Devices
其他
2017-01-01
Zhang, Zexuan
;
Zhang, Zhe
;
Guo, Shaofeng
;
Wang, Runsheng
;
Wang, Xingsheng
;
Cheng, Binjie
;
Asenov, Asen
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/12/03
Predictive compact modeling of random variations in FinFET technology for 16/14nm node and beyond
其他
2016-01-01
Jiang, Xiaobo
;
Wang, Xingsheng
;
Wang, Runsheng
;
Cheng, Binjie
;
Asenov, Asen
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/12/03
A Simple Method to Decompose the Amplitudes of Different Random Variation Sources in FinFET Technology
其他
2016-01-01
Jiang, Xiaobo
;
Wang, Runsheng
;
Huang, Ru
;
Wang, Xingsheng
;
Cheng, Binjie
;
Asenov, Asen
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2017/12/03
LINE-EDGE ROUGHNESS
VARIABILITY
LWR
LER
New Insights into the Near-Threshold Design in Nanoscale FinFET Technology for Sub-0.2V Applications
其他
2016-01-01
Jiang, Xiaobo
;
Guo, Shaofeng
;
Wang, Runsheng
;
Wang, Yuan
;
Wang, Xingsheng
;
Cheng, Binjie
;
Asenov, Asen
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2017/12/03
New Approach for Understanding "Random Device Physics" from Channel Percolation Perspectives: Statistical Simulations, Key Factors and Experimental Results
其他
2016-01-01
Zhang, Zhe
;
Zhang, Zexuan
;
Wang, Runsheng
;
Jiang, Xiaobo
;
Guo, Shaofeng
;
Wang, Yangyuan
;
Wang, Xingsheng
;
Cheng, Binjie
;
Asenov, Asen
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
Investigation on the Amplitude of Random Telegraph Noise(RTN) in Nanoscale MOSFETs——Scaling Limit of “Hole in the Inversion Layer” Model
其他
2016-01-01
Zexuan Zhang
;
Zhe Zhang
;
Shaofeng Guo
;
Runsheng Wang
;
Xingsheng Wang
;
Binjie Cheng
;
Ru Huang
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2017/12/03
Inversion
equivalence
drain
Model
RTN
negligible
helpful
scaled
assumed
scaling
Inversion
equivalence
drain
Model
RTN
negligible
helpful
scaled
assumed
scaling
Variation-aware energy-delay optimization method for device/circuit co-design
其他
2015-01-01
Wang, Junyao
;
Jiang, Xiaobo
;
Wang, Xingsheng
;
Wang, Runsheng
;
Cheng, Binjie
;
Asenov, Asen
;
Wei, Lan
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
VARIATION-AWARE ENERGY-DELAY OPTIMIZATION METHOD FOR DEVICE/CIRCUIT CO-DESIGN
其他
2015-01-01
Wang, Junyao
;
Jiang, Xiaobo
;
Wang, Xingsheng
;
Wang, Runsheng
;
Cheng, Binjie
;
Asenov, Asen
;
Wei, Lan
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2017/12/03
VARIABILITY
Predictive Compact Modeling of Random Variations in FinFET Technology for 16/14nm Node and Beyond
其他
2015-01-01
Jiang, Xiaobo
;
Wang, Xingsheng
;
Wang, Runsheng
;
Cheng, Binjie
;
Asenov, Asen
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/12/03
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