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浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：重庆大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Theoretical calculation of performance enhancement in lattice-matched SiGeSn/GeSn p-channel tunneling field-effect transistor with type-II staggered tunneling junction 期刊论文 2016, 卷号: 55 作者:  Wang, Hongjuan[1];  Han, Genquan[1,2];  Wang, Yibo[1];  Peng, Yue[1];  Liu, Yan[2] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/30 Theoretical Investigation of Performance Enhancement in GeSn/SiGeSn Type-II Staggered Heterojunction Tunneling FET 期刊论文 2016, 卷号: 63, 页码: 303-310 作者:  Wang, Hongjuan[1];  Han, Genquan[1];  Liu, Yan[2];  Hu, Shengdong[3];  Zhang, Chunfu[1] 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/11/30 Design of GeSn-Based Heterojunction-Enhanced N-Channel Tunneling FET With Improved Subthreshold Swing and ON-State Current 期刊论文 2015, 卷号: 62, 页码: 1262-1268 作者:  Liu, Mingshan[1];  Liu, Yan[1];  Wang, Hongjuan[1];  Zhang, Qingfang[1];  Zhang, Chunfu[2] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/28 Performance improvement in novel germanium-tin/germanium heterojunction-enhanced p-channel tunneling field-effect transistor 期刊论文 2015, 卷号: 83, 页码: 401-410 作者:  Wang, Hongjuan[1];  Liu, Yan[1];  Liu, Mingshan[1];  Zhang, Qingfang[1];  Zhang, Chunfu[2] 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/28 Investigation of performance enhancement in InAs/InGaAs heterojunction-enhanced N-channel tunneling field-effect transistor 期刊论文 2015, 卷号: 88, 页码: 90-98 作者:  Han, Genquan[1,2];  Zhao, Bin[1];  Liu, Yan[1];  Wang, Hongjuan[1];  Liu, Mingshan[1] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/28 Strained Germanium–Tin (GeSn) P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Featuring High Effective Hole Mobility 期刊论文 2015, 卷号: 36, 页码: 980-986 作者:  Liu, Yan[1];  Yan, Jing[1];  Wang, Hongjuan[1];  Cheng, Buwen[2];  Han, Genquan[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/29 Relaxed germanium-tin P-channel tunneling field-effect transistors fabricated on Si: impacts of Sn composition and uniaxial tensile strain 期刊论文 2015, 卷号: 5 作者:  Han, Genquan[1,2];  Wang, Yibo[1];  Liu, Yan[2];  Wang, Hongjuan[2];  Liu, Mingshan[2] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/30 Strained GeSn p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors With In Situ Si2H6 Surface Passivation: Impact of Sn Composition 期刊论文 2014, 卷号: 61, 页码: 3639-3645 作者:  Liu, Yan[1];  Yan, Jing[1];  Wang, Hongjuan[1];  Zhang, Qingfang[1];  Liu, Mingshan[1] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/11/28 Reduction of Formation Temperature of Nickel Mono-Stanogermanide [Ni(GeSn)] by the Incorporation of Tin 期刊论文 2014, 卷号: 3, 页码: P11-P13 作者:  Liu, Yan[1];  Wang, Hongjuan[1];  Yan, Jing[1];  Hanz, Genquan[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/28 Mobility enhancement in undoped Ge0.92Sn0.08 quantum well p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor fabricated on (111)-oriented substrate 期刊论文 2014, 卷号: 29 作者:  Liu, Yan[1];  Yan, Jing[1];  Liu, Mingshan[1];  Wang, Hongjuan[1];  Zhang, Qingfang[1] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/28