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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Correlation Between Lattice Strain and Energy Gap Bowing of AlxGa1-xN Epitaxial Thin Films 会议论文 international materials research conference, chongqing, peoples r china, jun 09-12, 2008 作者:  Sun BJ;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/03/09 AlxGa1-xN   Comparison of valence band x-ray photoelectron spectrum between Al-N-codoped and N-doped ZnO films 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: art.no.602110 作者:  Han XX;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：709/6  |  提交时间：2010/04/11 P-TYPE CONDUCTION  THIN-FILMS  OHMIC CONTACTS   Aluminium doping induced enhancement of p-d coupling in ZnO 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2006, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 3081-3087 作者:  Han XX;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/04/11 ELECTRONIC-STRUCTURE CALCULATIONS  II-VI SEMICONDUCTORS  THIN-FILMS  PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  DOPED ZNO  1ST-PRINCIPLES  CONDUCTION  STATES   Theoretical investigation of intersubband transition in AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN step quantum well 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 453-461 Li, JM; Lu, YW; Han, XX; Wu, JJ; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：200/76  |  提交时间：2010/03/17 quantum wells   A model for scattering due to interface roughness in finite quantum wells 期刊论文 semiconductor science and technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 1207-1212 作者:  Han XX 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/04/11 SINGLE-PARTICLE  ELECTRON-GAS  MOBILITY  GAAS  DISORDER   Crack-free GaN/Si(111) epitaxial layers grown with InAlGaN alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340 作者:  Li DB;  Wei HY;  Han XX 收藏  |  浏览/下载：58/22  |  提交时间：2010/03/17 cracks   Crack-free InAlGaN quaternary alloy films grown on Si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 79-85 Wu, JJ; Li, DB; Lu, Y; Han, XX; Li, JM; Wei, HY; Kang, TT; Wang, XH; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2010/03/17 cracks   Growth of crack-free GaN films on Si(111) substrate by using Al-rich AlN buffer layer 期刊论文 journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 4982-4988 Lu Y; Cong GW; Liu XL; Lu DC; Zhu QS; Wang XH; Wu JJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：78/29  |  提交时间：2010/03/09 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION