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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：Physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effect of annealing on microstructure evolution in CoFeB/MgO/CoFeB heterostructures by positron annihilation 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 卷号: 114, 期号: 11, 页码: 113903 作者:  Zhao, CJ;  Lu, XA;  Zhao, ZD;  Li, MH;  Zhang, P 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/04/08 Different origins of the yellow luminescence in as-grown high-resistance GaN and unintentional-doped GaN films 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 107, 期号: 2, 页码: 23528 作者:  Xu, FJ;  Shen, B;  Lu, L;  Miao, ZL;  Song, J 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2016/06/29 gallium compounds  III-V semiconductors  MOCVD  photoluminescence  positron annihilation  vacancies (crystal)  wide band gap semiconductors   RECENT RESULTS FROM BESII J/psi DECAYS 期刊论文 INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS A, 2009, 卷号: 24, 期号: 2-3, 页码: 428-433 作者:  Li, XL;  Ablikim, M;  Bai, JZ;  Bai, Y;  Ban, Y 收藏  |  浏览/下载：129/0  |  提交时间：2016/06/28 Threshold enhancement  final states interference  baryon exited states