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Whole-Process Modeling of Reservoir Turbidity Currents by a Double Layer-Averaged Model
期刊论文
Journal of Hydraulic Engineering, 2015, 卷号: 141, 期号: 2
作者:
Cao ZX
;
Li J
;
Pender G
;
Liu QQ(刘青泉)
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2015/03/17
Reservoir
Turbidity current
Sedimentation
Sediment flushing
Double layer-averaged model
Reservoir management
Synthesis of High-Purity Methylal via Extractive Catalytic Distillation
期刊论文
CHEMICAL ENGINEERING & TECHNOLOGY, 2012, 卷号: 35, 期号: 5, 页码: 841-846
作者:
Liu, HZ (Liu, Hongzhong)
;
Gao, HY (Gao, Hongyan)
;
Ma, YB (Ma, Yubo)
;
Gao, ZX (Gao, Zhixian)
;
Eli, WMJ (Eli, Wumanjiang)[
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/11/29
Cation-exchange resin
Extractive catalytic distillation
Formalin
Methanol
Methylal
Stacked-Spiral RF Inductor With Vertical Nano-Powder Magnetic Core in CMOS
期刊论文
IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS, 2012, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 29-31
Zhan, J
;
Yang, C
;
Wang, X
;
Zhang, F
;
Ren, TL
;
Wang, A
;
Yang, Y
;
Liu, LT
;
Yang, LW
;
Yue, ZX
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/04/17
CMOS
nano powder
vertical magnetic core
Impact of within-wafer process variability on radiation response
期刊论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 2011, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 883-888
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao,H
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
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提交时间:2012/04/10
ELSEVIER SCI LTD
Comprehensive Study on the Total Dose Effects in a 180-nm CMOS Technology
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2011, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1347-1354
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao,H
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/04/10
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Simple Method for Extracting Effective Sheet Charge Density Along STI Sidewalls Due to Radiation
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2011, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1332-1337
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao,H
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/04/10
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Total Ionizing Dose Enhanced DIBL Effect for Deep Submicron NMOSFET
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2011, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1324-1331
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/04/10
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Total ionizing dose effects in elementary devices for 180-nm flash technologies
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2011, 卷号: 51, 期号: 8, 页码: 1295-1301
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao,H
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/04/10
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
Radiation Hardening by Applying Substrate Bias
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2011, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1355-1360
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao,H
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/04/10
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
The impact of total ionizing radiation on body effect
期刊论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 2011, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 1396-1399
Ning,BX
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Liu,ZL
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/04/10
ELSEVIER SCI LTD
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