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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth of relaxed GeSn film with high Sn content via Sn component-grade buffer layer structure 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 54, 期号: 43, 页码: 435101 作者:  Liu, Xiangquan;   Zheng, Jun;   Li, Mingming;   Wan, Fengshuo;   Niu, Chaoqun;   Liu, Zhi;   Zuo, Yuhua;   Xue, Chunlai;   Cheng, Buwen 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2022/03/28 High Extinction Ratio Polarization Beam Splitter Realized by Separately Coupling 期刊论文 IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2020, 卷号: 32, 期号: 18, 页码: 1183-1186 作者:  Chaoqun Niu ;   Zhi Liu ;   Xiuli Li ;   Xiangquan Liu;   Fengshuo Wan;   Jun Zheng ;   Buwen Cheng, Member, IEEE;   Chunlai Xue ,Member, IEEE;   Yuhua Zuo, Member, IEEE 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/05/25 Spontaneously Conversion from Film to High Crystalline Quality Stripe during Molecular Beam Epitaxy for High Sn Content GeSn 期刊论文 SCIENTIFIC REPORTS, 2020, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 6161 作者:  Nan Wang;   Chunlai Xue;   Fengshuo Wan;   Yue Zhao;   Guoyin Xu;   Zhi Liu;   Jun Zheng;   Yuhua Zuo;   Buwen Cheng ;   Qiming Wang 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/06/28 Investigation of lead surface segregation during germanium–lead epitaxial growth 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2020, 卷号: 55, 期号: 11, 页码: 4762-4768 作者:  Xiangquan Liu;   Jun Zheng;   Xiuli Li;   Chaoqun Niu;   Linzhi Peng;   Fengshuo Wan;   Zhi Liu;   Yuhua Zuo;   Chunlai Xue ;   Buwen Cheng 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2021/11/01