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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed "Type-II" GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure 外文期刊 2010 作者:  Jin, Z;  Liu, XY;  Wu, Dx;  Zhou, L;  Chang, HD 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/26 Inp/gaassb/inp Dhbts  Graded-base  Ghz  Bvceo   On the design of base-collector junction of InGaAs/InP DHBT 外文期刊 2009 作者:  Jin, Z;  Liu, XY 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/26 Heterojunction Bipolar-transistors   HIGH CURRENT, MULTI-FINGER InGaAs/InP HETEROSTRUCTURE BIPOLAR TRANSISTOR WITH f(t) OF 176GHz 外文期刊 2009 作者:  Cheng, W;  Jin, Z;  Qi, M;  Xu, AH;  Liu, XY 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/26 红外与毫米波学报   High current multi-finger InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with the maximum oscillation frequency 253 GHz 外文期刊 2008 作者:  Jin, Z;  Su, YB;  Cheng, W;  Liu, XY;  Xu, AH 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26 High-breakdown-voltage submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(t)=170 GHz and f(max)=253GHz 外文期刊 2008 作者:  Jin, Z;  Su, YB;  Cheng, W;  Liu, XY;  Xu, AH 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 Amplifier  Base   High-speed InGaAs/InP double heterostructure bipolar transistor with high breakdown voltage 外文期刊 2008 作者:  Jin, Z;  Su, YB;  Cheng, W;  Liu, XY;  Xu, AH 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26