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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A Fast Vth Measurement Technique for NBTI Behavior Characterization. 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2018, 卷号: Vol.39 No.2, 页码: 172-175 作者:  Yu, Xiao;  Cheng, Ran;  Liu, Wei;  Qu, Yiming;  Han, Jinghui 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 Logic gates  NBTI  Negative bias temperature instability  pFinFETs  reliability  Stress  Stress measurement  Thermal variables control  Time measurement  trapping  ultra-fast measurement  Voltage measurement   A Fast Vth Measurement (FVM) Technique for NBTI Behavior Characterization 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2018, 卷号: Vol.39 No.2, 页码: 172-175 作者:  Xiao Yu;  Ran Cheng;  Wei Liu;  Yiming Qu;  Jinghui Han 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26 Voltage  measurement  Stress  Negative  bias  temperature  instability  Thermal  variables  control  Logic  gates  Stress  measurement  Time  measurement  pFinFETs  reliability  NBTI  ultra-fast  measurement  trapping   A Fast Vth Measurement (FVM) Technique for NBTI Behavior Characterization 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2018, 卷号: Vol.39 No.2, 页码: 172-175 作者:  Yu, Xiao;  Cheng, Ran;  Liu, Wei;  Qu, Yiming;  Han, Jinghui 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26