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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2012 [1]
2011 [1]
2000 [1]
1999 [1]
学科主题
半导体器件 [4]
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The impact of the stress induced by lateral spatial hole burning on the degradation of broad-area AlGaAs/GaAs laser diodes
期刊论文
journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 11, 页码: 113104
Qiao YB (Qiao, Yanbin)
;
Feng SW (Feng, Shiwei)
;
Xiong C (Xiong, Cong)
;
Ma XY (Ma, Xiaoyu)
;
Zhu H (Zhu, Hui)
;
Guo CS (Guo, Chunsheng)
;
Wei GH (Wei, Guanghua)
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/04/18
Thermal characteristic of GaAs-based laser diodes
期刊论文
hongwai yu jiguang gongcheng/infrared and laser engineering, 2011, 卷号: 40, 期号: 11, 页码: 2134-2137
Qiao, Yanbin
;
Feng, Shiwei
;
Ma, Xiaoyu
;
Wang, Xiaowei
;
Guo, Chunsheng
;
Deng, Haitao
;
Zhang, Guangchen
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2012/06/14
Degradation
Diodes
Electric properties
Gallium arsenide
Hybrid materials
Optical properties
Semiconducting gallium
Semiconductor diodes
Testing
Thermodynamic properties
A new wavelength selective photoreceiver
期刊论文
chinese journal of lasers, 2000, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: 434
Liu Kai
;
Huang Yongqing
;
Ren Xiaomin
;
Li Jianxin
;
Guo Wei
;
Ma Xiaoyu
;
Kang Xuejun
;
Liao Qiwei
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  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2010/11/23
High power 980 nm InGaAs/AlGaAs strained quantum well lasers
期刊论文
chinese journal of lasers, 1999, 卷号: 8, 期号: 5, 页码: 397
作者:
Chen Lianghui
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提交时间:2010/11/23
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