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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2015 [1]
2006 [1]
2005 [2]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
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A Novel Multi-Finger Gate Structure of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
期刊论文
chin. phys. lett., 2015, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 58501-58504
Lei Cui
;
Quan Wang
;
XiaoLiang Wang
;
HongLing Xiao
;
CuiMei Wang
;
LiJuan Jiang
;
Chun Feng
;
HaiBo Yin
;
JiaMin Gong
;
BaiQuan Li
;
ZhanGuo Wang
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2016/03/29
Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials (icscrm 2005), pittsburgh, pa, sep 18-23, 2005
Sun, GS (Sun, Guosheng)
;
Ning, J (Ning, Jin)
;
Gong, QC (Gong, Quancheng)
;
Gao, X (Gao, Xin)
;
Wang, L (Wang, Lei)
;
Liu, XF (Liu, Xingfang)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
收藏
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浏览/下载:100/29
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提交时间:2010/03/29
homoepitaxial growth
low-pressure hot-wall CVD
structural and optical characteristics
intentional doping
Schottky barrier diodes
LPCVD Growth of 3C-SiC on Si Mesas and SiO2/Si Substrates for MEMS Applications
期刊论文
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 982-985
作者:
LIU Xingfang
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
Homoepitaxial Growth of 4H-SiC and Ti/4H-SiC SBDs
期刊论文
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 1006-1010
作者:
NING Jin
;
LIU Xingfang
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
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