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内容类型
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会议论文 [2]
发表日期
2018 [7]
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发表日期:2018
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Strain tunable ionic transport properties and electrochemical window of Li10GeP2S12 superionic conductor
期刊论文
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2018, 卷号: 153, 页码: 170-175
作者:
Chen, Bingbing
;
Ju, Jiangwei
;
Ma, Jun
;
Du, Huiping
;
Xiao, Ruijuan
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2018/12/21
Strain
Ionic transport
Solid electrolyte
First principles
All-solid-state lithium batteries
Total Ionizing Dose Characterization of a SRAM in 28nm UTBB FDSOI Technology
会议论文
作者:
Qiwen Zheng
;
mengxin Liu
;
Jiangwei Cui
;
Shanxue Xi
;
Ying Wei
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2019/05/10
The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose
会议论文
Geneva, SWITZERLAND, OCT 02-06, 2017
作者:
Zheng, Qiwen
;
Cui, Jiangwei
;
Lu, Wu
;
Guo, Hongxia
;
Liu, Jie
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2018/10/08
Charge sharing
single-event upset (SEU)
static random access memory
total ionizing dose (TID)
Integrated Interface Strategy toward Room Temperature Solid-State Lithium Batteries
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 16, 页码: 13588-13597
作者:
Ju, Jiangwei
;
Wang, Yantao
;
Chen, Bingbing
;
Ma, Jun
;
Dong, Shanmu
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2018/12/21
Solid-state Lithium Batteries
Interface Compatibility
Sulfide Solid Electrolyte
Poly(Vinyl Carbonate)
In Situ Polymerization
Investigating the TDDB lifetime growth mechanism caused by proton irradiation in partially depleted SOI devices
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 81, 期号: 2, 页码: 112-116
作者:
Ma, T (Ma, Teng)
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng)
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)
;
Zhou, H (Zhou, Hang)
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2018/03/14
Reliability
Proton Irradiation
Radiation Induced Leakage Current (Rilc)
Time-dependent Dielectric Breakdown (Tddb)
Total Ionizing Does (Tid)
Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 691-697
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng)
;
Lu, W (Lu, Wu)
;
He, CF (He, Chengfa)
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2018/05/15
Static Noise Margin (Snm)
Static Random Access Memory (Sram)
Total Ionizing Dose (Tid)
The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1920-1927
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ]
;
Lu, W (Lu, Wu)[ 1 ]
;
Guo, HX (Guo, Hongxia)[ 1 ]
;
Liu, J (Liu, Jie)[ 2 ]
收藏
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2018/09/27
Charge Sharing
Single-event Upset (Seu)
Static Random Access Memory
Total Ionizing Dose (Tid)
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