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北京大学 [10]
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其他 [9]
期刊论文 [1]
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2016 [9]
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ESD Reliability Improvement of the 0.25-mu m 60-V Power nLDMOS with Discrete Embedded SCRs Separated by STI Structures
其他
2016-01-01
Chen, Shen-Li
;
Wu, Yi-Cih
;
Lin, Jia-Ming
;
Yang, Chih-Hung
;
Yen, Chih-Ying
;
Chen, Kuei-Jyun
;
Chen, Hung-Wei
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
Electrostatic discharge (ESD)
N-channel lateral-diffused MOSFET (nLDMOS)
Secondary breakdown current (I-t2)
Shallow-trench isolation (STI)
Silicon-controller rectifier (SCR)
ESD Reliability Evaluations of the 60-V nLDMOS by the Drain-side Discrete SCRs
其他
2016-01-01
Chen, Shen-Li
;
Chen, Kuei-Jyun
;
Wu, Yi-Cih
;
Lin, Jia-Ming
;
Yang, Chih-Hung
;
Yen, Chih-Ying
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提交时间:2017/12/03
LDMOS
Design on ESD Robustness of Source-side Discrete Distribution in the 60-V High-Voltage nLDMOS Devices
其他
2016-01-01
Chen, Shen-Li
;
Yang, Chih-Hung
;
Yen, Chih-Ying
;
Chen, Kuei-Jyun
;
Wu, Yi-Cih
;
Lin, Jia-Ming
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提交时间:2017/12/03
LDMOS
ESD reliability improvement of the 0.25-��m 60-V power nLDMOS with discrete embedded SCRs separated by STI structures
其他
2016-01-01
Chen, Shen-Li
;
Wu, Yi-Cih
;
Lin, Jia-Ming
;
Yang, Chih-Hung
;
Yen, Chih-Ying
;
Chen, Kuei-Jyun
;
Chen, Hung-Wei
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提交时间:2017/12/03
ESD-reliability characterizations of a 45-V p-channel LDMOS-SCR with the discrete-cathode end
其他
2016-01-01
Chen, Shen-Li
;
Huang, Yu-Ting
;
Wu, Yi-Cih
;
Lin, Jia-Ming
;
Yang, Chih-Hung
;
Yen, Chih-Ying
;
Chen, Kuei-Jyun
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提交时间:2017/12/03
Design on ESD robustness of source-side discrete distribution in the 60-V high-voltage nLDMOS devices
其他
2016-01-01
Chen, Shen-Li
;
Yang, Chih-Hung
;
Yen, Chih-Ying
;
Chen, Kuei-Jyun
;
Wu, Yi-Cih
;
Lin, Jia-Ming
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提交时间:2017/12/03
ESD reliability evaluations of the 60-V nLDMOS by the drain-side discrete SCRs
其他
2016-01-01
Chen, Shen-Li
;
Chen, Kuei-Jyun
;
Wu, Yi-Cih
;
Lin, Jia-Ming
;
Yang, Chih-Hung
;
Yen, Chih-Ying
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提交时间:2017/12/03
ESD-Reliability Characterizations of a 45-V p-Channel LDMOS-SCR with the Discrete-Cathode End
其他
2016-01-01
Chen, Shen-Li
;
Huang, Yu-Ting
;
Wu, Yi-Cih
;
Lin, Jia-Ming
;
Yang, Chih-Hung
;
Yen, Chih-Ying
;
Chen, Kuei-Jyun
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2017/12/03
P-type laterally-diffused metal oxide semiconductor (pLDMOS)
Electrostatic Discharge (ESD)
Holding voltage (V-h)
Secondary breakdown current (I-t2)
FSD Protection Design for the 45-V pLDMOS-SCR (p-n-p-Arranged) Devices with Source-Discrete Distributions
其他
2016-01-01
Chen, Shen-Li
;
Huang, Yu-Ting
;
Yen, Chih-Ying
;
Chen, Kuei-Jyun
;
Wu, Yi-Cih
;
Lin, Jia-Ming
;
Yang, Chih-Hung
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提交时间:2017/12/03
Electrostatic-discharge (ESD)
Holding voltage (V-h)
p-channel lateral-diffused MOSFET (pLDMOS)
Secondary breakdown-current (I-1/2)
Silicon controlled rectifier (SCR)
Trigger Voltage (V-t1)
Synthesis and electroactive properties of poly(amidoamine) dendrimers with an aniline pentamer shell
期刊论文
材料化学杂志, 2011
Hung, Wei-I
;
Hung, Chih-Bing
;
Chang, Ya-Han
;
Dai, Jiun-Kuang
;
Li, Yan
;
He, Hai
;
Chen, Shao-Wen
;
Huang, Tsao-Cheng
;
Wei, Yen
;
Jia, Xin-Ru
;
Yeh, Jui-Ming
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提交时间:2015/11/12
TRANSPORT-PROPERTIES
POLYANILINE
POLYMERIZATION
POLYMERS
ELECTRORHEOLOGY
POLYAMIDOAMINE
COMPLEXES
COPOLYMER
OXIDATION
SALT
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