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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 A Tunnel Diode Body Contact Structure for High-Performance SOI MOSFETs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2012, 卷号: 59, 期号: 1, 页码: 101-107 Luo, JX; Chen, J; Wu, QQ; Chai, Z; Zhou, JH; Yu, T; Dong, YJ; Li, L; Liu, W; Qiu, C; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/04/17 Body contact  floating-body effects (FBEs)  kink effect  linear kink effect (LKE)  partially depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI)  SOI MOSFETs  tunnel diode  tunnel diode body contact (TDBC)   Impact of back-gate bias on the hysteresis effect in partially depleted SOI MOSFETs 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 56602 Luo, JX; Chen, J; Zhou, JH; Wu, QQ; Chai, Z; Yu, T; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/04/17 floating body effect  hysteresis effect  back gate bias  partially depleted (PD) SOI   Temperature Dependence of Hysteresis Effect in Partially Depleted Silicon-on-Insulator MOSFETs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2012, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 63-67 Luo, JX; Chen, J; Zhou, JH; Wu, QQ; Chai, Z; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/04/17 Hysteresis  MOSFET  partially depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI)  SOI technology  temperature   Temperature Dependence of Hysteresis Effect in Partially Depleted Silicon-on-Insulator MOSFETs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2012, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 63-67 Luo, JX; Chen, J; Zhou, JH; Wu, QQ; Chai, Z; Wang, X（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/05/10 Engineering  Physics  Electrical & Electronic  Applied   Impact of back-gate bias on the hysteresis effect in partially depleted SOI MOSFETs 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 56602 Luo, JX; Chen, J; Zhou, JH; Wu, QQ; Chai, Z; Yu, T; Wang, X（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary   A Tunnel Diode Body Contact Structure for High-Performance SOI MOSFETs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2012, 卷号: 59, 期号: 1, 页码: 101-107 Luo, JX; Chen, J; Wu, QQ; Chai, Z; Zhou, JH; Yu, T; Dong, YJ; Li, L; Liu, W; Qiu, C; Wang, X（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/05/10 Engineering  Physics  Electrical & Electronic  Applied