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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET电学表征 期刊论文 功能材料与器件学报, 2010, 期号: 01 张帅; 张正选; 毕大炜; 陈明 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/01/06 无线传感器网络  室内  无线传播信道测试  线性回归   用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力 会议论文 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009 毕大炜; 张正选; 张帅; 俞文杰; 陈明 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/01/18 总剂量辐射效应 晶体管 注氧隔离 绝缘体上硅 加固工艺 注硅加固材料   注硅改性SIMOX材料的总剂量效应研究 会议论文 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009 张帅; 张正选; 毕大炜; 陈明 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/18 总剂量效应 硅纳米晶体 注硅改性 加固材料 阈值电压   SOI器件总剂量辐射效应研究进展 会议论文 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009 俞文杰; 张正选; 田浩; 王茹; 毕大伟; 陈明; 张帅; 刘张李 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/18 绝缘体上硅 总剂量辐射效应 全介质隔离 抗辐射集成电路 埋氧化层   应用于抗辐照SRAM的地址转换监控电路的设计 会议论文 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009 田浩; 张正选; 刘张李; 俞文杰; 王茹; 张帅; 毕大炜; 陈明 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/18 静态随机存取存储器 抗辐照技术 抗噪声地址转换 监控电路 触发信号 数据读出速度 片选信号   硅离子注入进行二氧化硅总剂量加固机理 会议论文 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009 陈明; 张正选; 毕大炜; 张帅 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/01/18 硅离子注入 二氧化硅 总剂量辐射 加固机理 微观结构 后续退火工艺 电离辐射   浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展 会议论文 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009 刘张李; 张正选; 毕大炜; 张帅; 田浩; 俞文杰; 陈明; 王茹 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/01/18 控制电路 存储单元 总剂量辐射效应 电荷损失 浮栅存储器   注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响 会议论文 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009 王茹; 张正选; 俞文杰; 田浩; 毕大炜; 张帅; 陈明 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2012/01/18 总剂量效应 氧化物陷阱电荷 界面态陷阱电荷 注硅工艺 改性加固材料 抗辐射性能 金属氧化物半导体 场效应晶体管