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Effects of buffer layers on the stress and morphology of GaN epilayer grown on Si substrate by MOCVD 期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 281-283
Liu Z (Liu Zhe); Wang XL (Wang Xiaoliang); Wang JX (Wang Junxi); Hu GX (Hu Guoxin); Guo LC (Guo Lunchun); Li JP (Li Jianping); Li JM (Li Jinmin); Zeng YP (Zeng Yiping)
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Characteristics of high Al content AlxGa1-xN grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
microelectronics journal, 2007, 卷号: 38, 期号: 8-9, 页码: 838-841
Wang XY (Wang, Xiaoyan); Wang XL (Wang, Xiaoliang); Hu GX (Hu, Guoxin); Wang BZ (Wang, Baozhu); Ma ZY (Ma, Zhiyong); Xiao HL (Xiao, Hongling); Wang CM (Wang, Cuimei); Ran JX (Ran, Junxue); Li JP (Li, Jianping)
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Effects of doping on the crystalline quality and composition distribution in InGaN/GaN structure grown by MOCVD 期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 235-238
Ran JX (Ran Junxue); Wang XL (Wang Xiaoliang); Hu GX (Hu Guoxin); Li JP (Li Jianping); Wang BZ (Wang Baozhu); Xiao HL (Xiao Hongling); Wang JX (Wang Junxi); Zeng YP (Zeng Yiping); Li JM (Li Jinmin); Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏  |  浏览/下载：136/0  |  提交时间：2010/03/29
doping  
Investigation of optical quenching of photoconductivity in high-resistivity GaN epilayer 期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 800-803
Fang CB (Fang Cebao); Wang XL (Wang Xiaoliang); Xiao HL (Xiao Hongling); Hu GX (Hu Guoxin); Wang CM (Wang Cuimei); Wang XY (Wang Xiaoyan); Li JP (Li Jianping); Wang JX (Wang Junxi); Li CJ (Li Chengji); Zeng YP (Zeng Yiping); Li JM (Li Jinmin); Wang ZG (Wang Zanguo)
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/03/29
MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1521-1525
作者:  Xiao Hongling;  Wang Cuimei
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23
Influence of AlN interfacial layer on electrical properties of high-Al-content Al0.45Ga0.55N/GaN HEMT structure 期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 762-765
Wang CM (Wang Cuimei); Wang XL (Wang Xiaoliang); Hu GX (Hu Guoxin); Wang JX (Wang Junxi); Li HP (Li Jianping); Wang ZG (Wang Zhanguo)
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GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1149-1153
作者:  刘超
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/23
MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 494-497
冉军学; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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溶胶-凝胶工艺制备SrTiO3纳米薄膜的研究 期刊论文
半导体技术, 2005, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 18-21
作者:  刘超
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硅基微电子新材料SGOI薄膜研究进展 期刊论文
微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 76-80
作者:  刘超
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