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| 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱 专利
专利号: CN208570525U, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01
作者: 李国强; 高芳亮; 张曙光; 徐珍珠; 余粤锋
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| 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱 专利
专利号: CN208570525U, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01
作者: 李国强; 高芳亮; 张曙光; 徐珍珠; 余粤锋
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| 硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法 专利
专利号: CN109003888A, 申请日期: 2018-12-14, 公开日期: 2018-12-14
作者: 李国强; 高芳亮; 余粤锋; 徐珍珠
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| 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法 专利
专利号: CN109003883A, 申请日期: 2018-12-14, 公开日期: 2018-12-14
作者: 李国强; 高芳亮; 张曙光; 徐珍珠; 余粤锋
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| 生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法 专利
专利号: CN108735866A, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2018-11-02
作者: 高芳亮; 李国强; 徐珍珠; 余粤锋
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| 一种非极性紫外LED 专利
专利号: CN208014734U, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26
作者: 王文樑; 李国强; 郑昱林; 阳志超
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| 一种提高交直流混联电网直流功率提升能力的方法 专利
申请日期: 2018-04-27, 公开日期: 2018-04-27
作者: 王亮; 马琳琳; 唐敏; 袁森; 晋飞
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| 生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 专利
专利号: CN104835718B, 申请日期: 2017-12-01, 公开日期: 2017-12-01
作者: 李国强; 温雷; 高芳亮; 张曙光; 李景灵
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| 一种混合多馈入直流系统二级电压控制方法 专利
申请日期: 2017-08-18, 公开日期: 2017-08-18
作者: 唐敏; 马琳琳; 武诚; 王小波; 李新
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| 一种混合多馈入直流系统二级电压控制方法 专利
申请日期: 2017-08-18, 公开日期: 2017-08-18
作者: 唐敏; 马琳琳; 武诚; 王小波; 李新
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