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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2020     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study of the influence of gamma irradiation on long-term reliability of SiC MOSFET 期刊论文 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 559-566 作者:  Liang, XW (Liang, Xiaowen)[ 1,2,3 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1,2 ];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1,2 ];  Zhao, JH (Zhao, Jinghao)[ 1,2,3 ];  Yu, XF (Yu, Xuefeng)[ 1,2 ] 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2020/12/11 SiC MOSFET  total ionizing dose irradiation  time-dependent dielectric breakdown