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科研机构
大连理工大学 [1]
中国水产科学院 [1]
内容类型
会议论文 [2]
发表日期
2012 [2]
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内容类型:会议论文
发表日期:2012
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喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响
会议论文
第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议, 开封, 2012-11-07
作者:
Yunjie Ke
;
柯昀洁
;
梁红伟
;
Hongwei Liang
;
Rensheng Shen
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提交时间:2019/12/18
化合物半导体
金属有机化学气相沉积
喷淋头高度
量子阱
Heave compensation system for base plate used in deep-water exploration ship
会议论文
2012 2nd International Conference on Machinery, Materials Science and Engineering Applications, MMSE 2012, 2012-06-16
作者:
Yang, Yangui[1]
;
Lu, Minxun[2]
;
Chen, Zhixin[3]
;
Xu, Baofu[4]
;
Wang, Yunjie[5]
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提交时间:2020/01/02
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