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高能物理研究所 [2]
上海微系统与信息技术... [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2012 [3]
学科主题
Physics [3]
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学科主题:Physics
发表日期:2012
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Improved thermal and electrical properties of Al-doped Ge2Sb2Te5 films for phase-change random access memory
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 45, 期号: 37, 页码: 375302
Wang, GX
;
Shen, X
;
Nie, QH
;
Wang, RP
;
Wu, LC
;
Lv, YG
;
Chen, F
;
Fu, J
;
Dai, SX
;
Li, J
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提交时间:2013/04/17
Fe-doped InN layers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 17, 页码: 171905
作者:
Wang, XQ
;
Liu, ST
;
Ma, DY
;
Zheng, XT
;
Chen, G
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2016/04/08
Electron acceleration via high contrast laser interacting with submicron clusters
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 100, 期号: 1, 页码: 14104
作者:
Zhang, L
;
Chen, LM
;
Wang, WM
;
Yan, WC
;
Yuan, DW
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/04/08
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