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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    发表日期：2006     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1521-1525 作者:  Xiao Hongling;  Wang Cuimei 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1981-1983 罗卫军; 陈晓娟; 李成瞻; 刘新宇; 和致经; 魏珂; 梁晓新; 王晓亮 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/11/23 A Radial Stub Test Circuit for Microwave Power Devices 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1557-1561 Luo Weijun; Chen Xiaojuan; Liang Xiaoxin; Ma Xiaolin; Liu Xinyu; Wang Xiaoliang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23