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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characterization of periodicity fluctuations in ingan/gan mqws by the kinematical simulation of x-ray diffraction 期刊论文 Applied physics express, 2019, 卷号: 12, 期号: 4 作者:  Li,Yangfeng;  Die,Junhui;  Yan,Shen;  Deng,Zhen;  Ma,Ziguang 收藏  |  浏览/下载：107/0  |  提交时间：2019/05/09 Xrd  Mqws  Interface roughness   The substantial dislocation reduction by preferentially passivating etched defect pits in gan epitaxial growth 期刊论文 Applied physics express, 2019, 卷号: 12, 期号: 3 作者:  Hu,Wei;  Die,Junhui;  Wang,Caiwei;  Yan,Shen;  Hu,Xiaotao 收藏  |  浏览/下载：145/0  |  提交时间：2019/05/09 Gallium nitride  Defect preferential passivation  In situ sinx  Dislocation reduction  Prevention effect   Realization of high-luminous-efficiency ingan light-emitting diodes in the "green gap" range 期刊论文 Scientific reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 7 作者:  Jiang, Yang;  Li, Yangfeng;  Li, Yueqiao;  Deng, Zhen;  Lu, Taiping 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/05/09 A novel wavelength-adjusting method in InGaN-based light-emitting diodes 期刊论文 SCIENTIFIC REPORTS, 2013, 卷号: 3 Deng, Zhen; Jiang, Yang; Ma, Ziguang; Wang, Wenxin; Jia, Haiqiang; Zhou, Junming; Chen, Hong 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/01/17