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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：微电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The thermal stability study and improvement of 4H-SiC ohmic contact 期刊论文 applied physics letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 12, 页码: 122106 Liu, SB; He, Z; Zheng, L; Liu, B; Zhang, F; Dong, L; Tian, LX; Shen, ZW; Wang, JZ; Huang, YJ; Fan, ZC; Liu, XF; Yan, GG; Zhao, WS; Wang, L; Sun, GS; Yang, FH; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/03/20 Slowing Down DNA Translocation Through Solid-State Nanopores by Pressure 期刊论文 small, 2013, 卷号: 9, 期号: 24, 页码: 4112-4117 Hengbin Zhang; Qing Zhao; Zhipeng Tang; Song Liu; Qingtao Li; Zhongchao Fan; Fuhua Yang; Liping You; Xuemei Li; Jingmin Zhang; Dapeng Yu 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/04/02 Effect of the technology of implanting nitrogen into buried oxide on the radiation hardness of the top gate oxide for partially depleted SOIPMOSFET 期刊论文 chinese physics, 2005, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 565-570 Zheng ZS; Liu ZL; Zhang GQ; Li N; Fan K; Zhang EX; Yi WB; Chen M; Wang X 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/17 SOIPMOSFET   Effects of techniques of implanting nitrogen into buried oxide on the characteristics of partially depleted SOIPMOSFET 期刊论文 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 654-656 Zheng ZS; Liu ZL; Zhang GQ; Li N; Fan K; Zhang EX; Yi WB; Chen M; Wang X 收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2010/03/17 SCATTERING   Effects of the technology of implanting nitrogen into buried oxide layer on the characteristics of partially depleted SOI nMOSFET 期刊论文 acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 348-353 Zheng ZS; Liu ZL; Zhang GQ; Li N; Fan K; Zhang EX; Yi WB; Chen M; Wang X 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/03/17 SOI   一个实用的部分耗尽SOI器件体接触仿真模型 期刊论文 微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 138-141 姜凡; 尹雪松; 刘忠立 收藏  |  浏览/下载：101/1  |  提交时间：2010/11/23 部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究 期刊论文 半导体技术, 2005, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 54-57 尹雪松; 姜凡; 刘忠立 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 部分耗尽SOI静态存储器位线电路的研究 期刊论文 微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 297-300 姜凡; 刘忠立 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 Radiation response of partially-depleted MOS transistors fabricated in the fluorinated SIMOX wafers 会议论文 7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004 Li, N; Zhang, GQ; Liu, ZL; Fan, K; Zheng, ZS; Lin, Q; Zhang, ZX; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：127/22  |  提交时间：2010/03/29 SIMOX  fluorine  ionizing radiation   Effect of the implantation of fluorine on the mobility of channel electron for partially depleted SOI nMOSFET 会议论文 7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004 Zheng, ZS; Liu, ZL; Zhang, GQ; Li, N; Fan, K 收藏  |  浏览/下载：167/30  |  提交时间：2010/03/29