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半导体研究所 [11]
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会议论文 [1]
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学科主题
光电子学 [11]
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学科主题:光电子学
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A Self-Wetting Paper Electrode for Ubiquitous Bio-Potential Monitoring
期刊论文
IEEE SENSORS JOURNAL, 2017, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 2654-2661
作者:
Xuhong Guo
;
Weihua Pei
;
Member,IEEE
;
Yijun Wang
;
Qi Gong
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2018/07/02
Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:58/1
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提交时间:2011/07/05
BAND-GAP
INDIUM NITRIDE
TRANSPORT
EMISSION
Investigation of gain recovery for InAs/GaAs quantum dot semiconductor optical amplifiers by rate equation simulation
期刊论文
optical and quantum electronics, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 613-626
Xiao JL (Xiao Jin-Long)
;
Yang YD (Yang Yue-De)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
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浏览/下载:89/2
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提交时间:2010/08/17
Quantum dots (QDs)
Semiconductor optical amplifiers (SOAs)
Gain recovery
CARRIER DISTRIBUTION
DYNAMICS
SATURATION
RELAXATION
LASERS
MODEL
Ultrafast carrier dynamics in undoped and p-doped InAs/GaAs quantum dots characterized by pump-probe reflection measurements
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 8, 页码: art. no. 083121
Liu, HY
;
Meng, ZM
;
Dai, QF
;
Wu, LJ
;
Guo, Q
;
Hu, W
;
Liu, SH
;
Lan, S
;
Yang, T
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浏览/下载:52/3
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提交时间:2010/03/08
ENERGY RELAXATION
ELECTRON RELAXATION
CAPTURE
PHONON
INAS
GAAS
TEMPERATURE
DEPENDENCE
DENSITY
TIME
DCXRD Investigation of a Ge/Si(001) Island Multilayer Structure
期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 145-148
作者:
Xue Chunlai
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/11/23
Effect of inter-level relaxation and cavity length on double-state lasing performance of quantum dot lasers
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2007, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 203-208
作者:
Xu B
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/03/29
rate equation model
Investigation of Ge-Si atomic interdiffusion in Ge nano-dots multilayer structure by double crystal X-ray diffraction
期刊论文
journal of materials science & technology, 2007, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 301-303
Shi WH (Shi Wenhua)
;
Zhao L (Zhao Lei)
;
Luo LP (Luo Liping)
;
Wang QM (Wang Qiming)
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浏览/下载:107/0
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提交时间:2010/03/29
X-ray diffraction
Investigation of a chemically treated InP(100) surface during hydrophilic wafer bonding process
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2006, 卷号: 128, 期号: 1-3, 页码: 93-97
作者:
Yu LJ
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浏览/下载:66/0
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提交时间:2010/04/11
surface micro-roughness
contact angle
root-mean-square roughness
SILICON-WAFERS
ROUGHNESS
INP
Growth of Ge quantum dot mediated by boron on Ge wetting layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 329-334
Shi WH
;
Li CB
;
Luo LP
;
Cheng BW
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:82/21
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提交时间:2010/03/17
nanostructures
Optical characterization of the Ge/Si (001) islands in multilayer structure
会议论文
asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2001), beijing, peoples r china, nov 12-15, 2001
Huang CJ
;
Zuo YH
;
Li C
;
Li DZ
;
Cheng BW
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/10/29
Ge/Si islands
quantum dot
band alignment
PL
SI/SI1-XGEX QUANTUM-WELLS
STRANSKI-KRASTANOV GROWTH
II BAND ALIGNMENT
GE ISLANDS
TEMPERATURE-DEPENDENCE
PHOTOLUMINESCENCE
LAYERS
LUMINESCENCE
ORGANIZATION
MECHANISM
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