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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529 作者:  Wu DH;  Niu ZC;  Jiang DS;  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2010/04/11 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting III-V materials  MU-M  LASERS  TEMPERATURE  SURFACTANT  NM   Structure and photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum dots grown via cycled (InAs)(n)/(GaAs)(n) monolayer deposition 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 1154-1157 He J; Wang XD; Xu B; Wang ZG; Qu SC 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 MBE  InGaAs/GaAs  quantum dots  photoluminescence  morphology  MU-M  WELL STRUCTURES  GAAS  LASERS  TEMPERATURE  STATES  INP   Structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.3) 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3392-3395 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 1.3 MU-M  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH  EMISSION  LASERS  ENERGY   A novel 1.3-mu m high T-0 AlGaInAs/InP strained-compensated multi-quantum well complex-coupled distributed feedback laser diode 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1999, 卷号: 38, 期号: 9a, 页码: 5096-5100 Chen B; Wang W; Wang XJ; Zhang JY; Fan Z 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2010/08/12 fiber communication  AlGaInAs/InP  distributed feedback laser diodes  complex-coupled grating  strained-compensated  LP-MOCVD  TEMPERATURE