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Iii-nitride tunnel junction light emitting diode with wall plug efficiency of over seventy percent 专利
专利号: US20190165213A1, 申请日期: 2019-05-30, 公开日期: 2019-05-30
作者:  YONKEE, BENJAMIN P.;  YOUNG, ERIN C.;  SPECK, JAMES S.;  DENBAARS, STEVEN P.;  NAKAMURA, SHUJI
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Self-alignment features for iii-v ridge process and angled facet die 专利
专利号: US20180358778A1, 申请日期: 2018-12-13, 公开日期: 2018-12-13
作者:  BARWICZ, TYMON;  MARTIN, YVES C.;  ORCUTT, JASON S.
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Sealed semiconductor light emitting device 专利
专利号: US20180323353A1, 申请日期: 2018-11-08, 公开日期: 2018-11-08
作者:  LEI, JIPU;  SCHIAFFINO, STEFANO;  NICKEL, ALEXANDER H.
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Semiconductor light emitting devices grown on composite substrates 专利
专利号: EP2329536B1, 申请日期: 2018-08-15, 公开日期: 2018-08-15
作者:  MCLAURIN, MELVIN B.;  KRAMES, MICHAEL R.
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Iii-nitride light emitting diodes with tunnel junctions wafer bonded to a conductive oxide and having optically pumped layers 专利
专利号: WO2017136832A1, 申请日期: 2017-08-10, 公开日期: 2017-08-10
作者:  MUGHAL, ASAD J.;  KOWSZ, STACY J.;  FARRELL, ROBERT M.;  YONKEE, BENJAMIN P.;  YOUNG, ERIN C.
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Semiconductor laser device 专利
专利号: US9444225, 申请日期: 2016-09-13, 公开日期: 2016-09-13
作者:  TAKADO, SHINYA;  KASHIWAGI, JUNICHI
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Semiconductor device 专利
专利号: US9231375, 申请日期: 2016-01-05, 公开日期: 2016-01-05
作者:  TASAI, KUNIHIKO;  NAKAJIMA, HIROSHI;  FUTAGAWA, NORIYUKI;  YANASHIMA, KATSUNORI;  ENYA, YOHEI
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III-V group compound devices with improved efficiency and droop rate 专利
专利号: US9099593, 申请日期: 2015-08-04, 公开日期: 2015-08-04
作者:  LI, ZHEN-YU;  LIN, HON-WAY;  LIN, CHUNG-PAO;  HSIA, HSING-KUO;  KUO, HAO-CHUNG
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Diffusion emission model for solid-state photon-enhanced thermionic emission solar energy converters 期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2015, 卷号: 35, 页码: 120-126
作者:  Yang, Yang;  Yang, Wenzheng;  Sun, Chuandong
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Nonlinear frequency conversion in nanoslab optical waveguides 专利
专利号: US9057891, 申请日期: 2015-06-16, 公开日期: 2015-06-16
作者:  STIEVATER, TODD H.;  KHURGIN, JACOB B.;  PARK, DOEWON;  PRUESSNER, MARCEL W.;  RABINOVICH, WILLIAM S.
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