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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [7]
会议论文 [1]
发表日期
2008 [1]
2007 [1]
2006 [2]
2002 [1]
2001 [1]
1999 [2]
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学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
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The growth temperatures dependence of optical and electrical properties of InN films
期刊论文
science in china series g-physics mechanics & astronomy, 2008, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 237-242
Liu, B
;
Zhang, R
;
Xie, ZL
;
Xiu, XQ
;
Li, L
;
Kong, JY
;
Yu, HQ
;
Han, P
;
Gu, SL
;
Shi, Y
;
Zheng, YD
;
Tang, CG
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
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浏览/下载:48/2
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提交时间:2010/03/08
metalorganic chemical vapor deposition
X-ray diffraction
photoluminescence
Temperature dependence of the Raman-active modes in the nonpolar a-plane GaN film
期刊论文
journal of applied physics, 2007, 卷号: 101, 期号: 2, 页码: art.no.023506
Yan FW (Yan Fawang)
;
Gao HY (Gao Haiyong)
;
Zhang HX (Zhang Huixiao)
;
Wang GH (Wang Guohong)
;
Yang FH (Yang Fuhua)
;
Yan JC (Yan Jianchang)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li, Jinmin)
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/03/29
GALLIUM NITRIDE
Temperature dependence of the formation of nano-scale indium clusters in InAlGaN alloys on Si(111) substrates
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1251-1254
作者:
Wei HY
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/04/11
OPTICAL-PROPERTIES
RAMAN-SCATTERING
EPILAYERS
LUMINESCENCE
ALINGAN
PHONON
LAYERS
FILMS
ALN
GAN
Polarized Raman scattering studies of nonpolar a-plane GaN films grown on r-plane sapphire substrates by MOCVD
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2006, 卷号: 203, 期号: 15, 页码: 3788-3792
Gao, HY (Gao, Haiyong)
;
Yan, FW (Yan, Fawang)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Wang, JX (Wang, Junxi)
;
Yan, JC (Yan, Jianchang)
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/03/29
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
Study of GaN thin films grown on vicinal SiC (0001) substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
semiconductor science and technology, 2002, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 957-960
Lu LW
;
Yan H
;
Yang CL
;
Xie MH
;
Wang ZG
;
Wang J
;
Ge WK
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/08/12
PHOTOLUMINESCENCE
ENERGY
Effect of in situ thermal treatment during growth on crystal quality of GaN epilayer grown on sapphire substrate by MOVPE
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 110-117
Xu HZ
;
Takahashi K
;
Wang CX
;
Wang ZG
;
Okada Y
;
Kawabe M
;
Harrison I
;
Foxon CT
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/08/12
gallium nitride
metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE) annealing
crystal quality
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
BUFFER LAYER
PHASE EPITAXY
DEPENDENCE
DEFECTS
High temperature annealing behaviors of luminescent SIOx : H films
会议论文
symposium e on luminescent materials at the 1999 mrs spring meeting, san francisco, ca, apr 05-08, 1999
Ma ZX
;
Xiang XB
;
Sheng SR
;
Liao XB
;
Shao CL
;
Umeno M
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/10/29
RAMAN-SPECTRA
SILICON
PHOTOLUMINESCENCE
Comparative study of the structural properties of nanocrystalline Ge : H plasma deposited onto the cathode and the anode using high hydrogen dilutions
期刊论文
thin solid films, 1999, 卷号: 346, 期号: 1-2, 页码: 91-95
Poulsen PR
;
Wang MX
;
Xu J
;
Li W
;
Chen KJ
;
Wang GH
;
Feng D
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/08/12
chemical vapour deposition
germanium
nanostructures
structural properties
AMORPHOUS-SILICON
GERMANIUM
CRYSTALLINE
DISCHARGE
CELL
POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS
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