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Recrystallization effects in GeV Bi ion implanted 4H-SiC Schottky barrier diode investigated by cross-sectional Micro-Raman spectroscopy
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2020, 卷号: 478, 页码: 5-10
作者:
Huang, Mingmin
;
Yang, Zhimei
;
Wang, Shaomin
;
Liu, Jiyuan
;
Gong, Min
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2021/12/15
Schottky barrier diodes
Raman spectroscopy
Recrystallization effect
Swift heavy ion
SiC
Strong lattice anharmonicity exhibited by the high-energy optical phonons in thermoelectric material
期刊论文
NEW JOURNAL OF PHYSICS, 2020, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 9
作者:
Wu, Peng
;
Fan, Feng-Ren
;
Hagihala, Masato
;
Kofu, Maiko
;
Peng, Kunling
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2020/12/01
SnSe
anharmonicity
Raman spectroscopy
pair distribution function
inelastic neutron scattering
Temperature dependence of Raman scattering in single crystal SnSe
期刊论文
VIBRATIONAL SPECTROSCOPY, 2020, 卷号: 107, 页码: 6
作者:
Gong, Xiangnan
;
Wu, Hong
;
Yang, Dingfeng
;
Zhang, Bin
;
Peng, Kunling
收藏
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浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2020/08/24
SnSe single crystal
Temperature-dependent raman
Laser-power-dependent raman
Anharmonic effect
Magnetic and Electrical Behavior of Gd Doping Pyrochlore Bi2Ir2O7
期刊论文
JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY AND NOVEL MAGNETISM, 2020
作者:
Bian, Jian
;
Feng, Yuan
;
Liu, Taoqin
;
Chen, Shiyun
;
Zhu, Shoujin
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2020/11/26
Bi2-xGdxIr2O7
Metal-insulator transition
Electrical transport
Magnetic properties
F-d interaction
ESR
Microstructure and temperature-dependence of Raman scattering properties of beta-(AlxGa1-x)(2)O-3 crystals
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2020, 卷号: 140, 页码: 9
作者:
X. Chen,W. L. Niu,L. Y. Wan,C. T. Xia,H. Y. Cui,D. N. Talwar and Z. C. Feng
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2021/07/06
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