QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effect of p-GaN layer thickness on the performance of p-i-n structure GaN ultraviolet photodetectors 期刊论文 acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 7, 页码: 4570-4574 Zhou, M; Zhao, DG 收藏  |  浏览/下载：56/1  |  提交时间：2010/03/08 GaN  Ultraviolet photodetector  quantum efficiency  dark current   Studies of 6H-SiC devices 会议论文 korea-china joint symposium on smiconductor physics and device applications, seoul, south korea, dec 05-09, 2001 Wang SR; Liu ZL 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15 SiC  Schottky  pn junction diodes  MOS capacitor  JUNCTION DIODES   Microscopic analysis of defects in a high resistivity silicon detector irradiated to 1.7x10(15)n/cm(2) 期刊论文 ieee transactions on nuclear science, 1996, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 1590-1598 Li Z; Ghislotti G; Kraner HW; Li CJ; Nielsen B; Feick H; Lindstroem G 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/17 RADIATION-DAMAGE  JUNCTION